Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=265 A, 8针, PowerPAK SO-8S, SiR系列

N

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735-133
制造商零件编号:
SIRS5800DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

265A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PowerPAK SO-8S

系列

SiR

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0018Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

81nC

正向电压 Vf

80V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

240W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

6mm

高度

2mm

宽度

5mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N 通道 MOSFET 额定电压为 80 V,针对 AI 电源服务器降压转换器的低损耗同步整流进行了优化。它在 10 V 栅极驱动下可实现行业领先的最大 1.8 mΩ 的导通电阻,在高负载条件下具有卓越的效率。

265A 脉冲排放电流额定值

81nC 典型总栅极电荷

52°C/W 热阻接头至外壳

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