Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 47 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SiHK045N60EF, SiH系列

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RS 库存编号:
735-157
制造商零件编号:
SiHK045N60EF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

47A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SiH

包装类型

PowerPAK 10 x 12

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.045Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

600V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

最大功耗 Pd

278W

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

长度

13mm

高度

2mm

标准/认证

RoHS

宽度

10mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N通道MOSFET的额定漏源电压为60 V,针对AI电源服务器直流/直流转换器和同步整流电路的高效切换进行了优化。它在 10 V 栅极驱动下可实现极低的导通电阻,最大为 1.7 mΩ,可在高电流应用中将传导损耗降至最低

TA=25°C 时连续排放电流为 94 A

54.3nC 典型总栅极电荷,可实现快速切换

-55°C 至 +175°C 扩展的接点温度范围

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