Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=24 A, 8针, PowerPAK 10 x 12, SIHK系列

RS 库存编号:: 268-8309
制造商零件编号:: SIHK105N60EF-T1GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=24 A, 8针, PowerPAK 10 x 12, SIHK系列

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RS 库存编号:: 268-8309
制造商零件编号:: SIHK105N60EF-T1GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	24A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	SIHK
	包装类型	PowerPAK 10 x 12
	安装类型	PCB
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.105Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	51nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	142W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	长度	9.9mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 24A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 SIHK
	包装类型 PowerPAK 10 x 12
	安装类型 PCB
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.105Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 142W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	长度 9.9mm
	汽车标准否

Datasheet - SIHK105N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK系列MOSFET,650 V漏源电压,24 A连续漏电流 - SIHK105N60EF-T1GE3

这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道半导体开关,专为工业电子产品中的功率转换和开关任务而设计。它可在宽温度范围内工作,并以 8 针封装安装到印刷电路板上,在开关能力和热处理之间实现平衡,适用于严苛的电气控制环境。

特性和优点：

• 650V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 24 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.105Ω Rds(on)可减少运行过程中的导电损耗 • 51nC 栅极电荷可实现受控的开关性能 • 142W 功耗有助于在 PCB 上处理高功率 • ±30V 栅极容差允许宽栅极驱动空间

应用

• 适用于工业电机驱动变频器级别 • 适用于高电压电源和转换器 • 用于自动化系统中的直流-直流转换 • 可用于机械设备中的开关模式电源控制器 • 适用于配电装置的电源开关

此设备在运行期间可承受哪些极端热?

它的额定工作温度范围为-55°C至最高150°C,可在恶劣的热环境中使用。

电路板上需要多少引脚和哪种安装方式?

它采用 8 引脚配置,专为在 PowerPAK 10x12 封装中进行 PCB 安装而设计。

应遵守哪些类型的栅极驱动限制?

该设备可在栅极和源之间接受高达 30 V 的电压,因此栅极驱动电路应保持在该限制范围内,以避免损坏。

该设备如何满足环境材料限制要求?

它符合RoHS要求,表明符合有限危险物质的要求。