Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=29 A, 8针, PowerPAK 10 x 12, E Series系列

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RS 库存编号:
735-259
制造商零件编号:
SIHK075N65E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

E Series

包装类型

PowerPAK 10 x 12

安装类型

板

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.065Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

160W

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

52nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

9.9mm

长度

12.88mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL

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