Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 33 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK075N60EF-T1GE3
- RS 库存编号:
- 252-0266
- 制造商零件编号:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥48.73
(不含税)
¥55.06
(含税)
有库存
- 2,050 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 49 | RMB48.73 |
| 50 - 99 | RMB46.30 |
| 100 - 249 | RMB43.97 |
| 250 - 999 | RMB41.78 |
| 1000 + | RMB39.69 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 252-0266
- 制造商零件编号:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 33A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.05mΩ | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 54nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 132W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 33A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.05mΩ | ||
通道模式 消耗 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 54nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 132W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.15mm | ||
宽度 5.15 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix MOSFET 产品系列包括多种先进技术。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。场效应意味着它们由电压控制。
第 4 代 E 系列技术
低品质因数（FOM）Ron x Qg
低有效电容（Co(er)）
降低开关和导通损耗
额定雪崩能量（UIS）