Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 10 A, TSOP-6, 表面安装, 6引脚, SQ3426CEEV-T1_BE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 736-652
- 制造商零件编号:
- SQ3426CEEV-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1 件）*
¥3.91
(不含税)
¥4.42
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
Tape(s) | Per Tape |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB3.91 |
| 25 - 99 | RMB2.61 |
| 100 + | RMB1.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 736-652
- 制造商零件编号:
- SQ3426CEEV-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TSOP-6 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.063Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 2.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 5W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 宽度 | 2.85mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TSOP-6 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.063Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 2.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.5nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 5W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3.05mm | ||
宽度 2.85mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE