Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=7 A, 6针, TSOP-6, SQ系列

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RS 库存编号:
268-8350
制造商零件编号:
SQ3426CEV-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TSOP-6

系列

SQ

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.092Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

5W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

12nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.77V

最高工作温度

175°C

长度

3.05mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 汽车 N 通道 TrenchFET 功率 MOSFET 是无铅和卤素器件,具有单配置 MOSFET 和表面安装类型器件。它独立于工作温度。

AEC Q101 认证

符合 ROHS 标准

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