Vishay N型沟道增强型单 MOSFET, Vds=60 V, 7 A, TSOP-6, PCB安装, 6引脚, SQ3426CEEV-T1_GE3, SQ3426CEEV系列

RS 库存编号:: 653-061
制造商零件编号:: SQ3426CEEV-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型单 MOSFET, Vds=60 V, 7 A, TSOP-6, PCB安装, 6引脚, SQ3426CEEV-T1_GE3, SQ3426CEEV系列

小计（1 卷，共 3000 件）*

RMB5,004.00

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单位	每单位	每卷*
3000 +	RMB1.668	RMB5,004.00

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RS 库存编号:: 653-061
制造商零件编号:: SQ3426CEEV-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	单 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	7A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	TSOP-6
	系列	SQ3426CEEV
	安装类型	PCB
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	0.042Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	19.5nC
	最大功耗 Pd	5W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	2.98mm
	高度	1.1mm
	长度	3.10mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型单 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 7A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 TSOP-6
	系列 SQ3426CEEV
	安装类型 PCB
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 0.042Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.5nC
	最大功耗 Pd 5W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 2.98mm
	高度 1.1mm
	长度 3.10mm
	汽车标准 AEC-Q101

Vishay SQ3426CEEV系列单 MOSFET,60 V最大漏源电压,7 A最大连续漏电流 - SQ3426CEEV-T1_GE3

这款单 MOSFET 设备是一款 N 通道增强型开关,专为汽车和工业环境中的印刷电路板的电源控制而设计。它可在中等电压和电流下处理切换任务,同时在宽温度范围内运行,因此适用于需要符合工业制造标准的紧凑型PCB安装功率晶体管的应用。

特性和优点：

• 60 V 漏电压可实现中等电压切换能力
• 7 A 连续漏电流支持大负载电流
• 0.042 Ω RDS(on) 可最大程度地减少接通状态下的传导损耗
• 5W 功耗可在 PCB 上实现稳定的热处理
• 19.5 nC 典型栅极电荷,可减少开关能量损耗
• 额定最高工作温度为175°C,适用于高温应用

应用

• 适用于自动化设备的直流电机驱动器级别
• 特别适用于符合AEC‐Q101标准的车辆电子设备的负载切换
• 用于工业控制模块的电源管理
• 可用于紧凑型消费设备的开关电源导轨

集成时需要哪种安装方式?

它专为在带六引脚的 TSOP‐6 封装中安装 PCB 而设计,以匹配标准表面贴装布局。

设计人员必须遵守哪些栅极电压限制?

门到源电压在运行期间不得超过±20V,以避免设备应力。

耐热性如何影响冷却策略?

最高工作温度为 175 °C,耗散功率为 5 W,设计人员应提供足够的PCB铜面积或散热片,以保持接线温度在安全范围内。

Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, 7 A, TSOP-6, PCB安装, 6引脚, SQ3426CEEV-T1_GE3, SQ3426CEEV系列