制造商编号

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=440 V, Id=144 A, 8针, TO-LL, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 762-914
制造商零件编号:: IMT44R011M2HXTMA2
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=440 V, Id=144 A, 8针, TO-LL, CoolSiC系列

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RS 库存编号:: 762-914
制造商零件编号:: IMT44R011M2HXTMA2
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	144A
	最大漏源电压 Vd	440V
	系列	CoolSiC
	包装类型	TO-LL
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	11.3mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	4.3V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	85nC
	最大功耗 Pd	429W
	最大栅源电压 Vgs	25V
	最高工作温度	175°C
	高度	11.88mm
	标准/认证	RoHS
	长度	10.1mm
	宽度	2.4mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 144A
	最大漏源电压 Vd 440V
	系列 CoolSiC
	包装类型 TO-LL
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 11.3mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 4.3V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC
	最大功耗 Pd 429W
	最大栅源电压 Vgs 25V
	最高工作温度 175°C
	高度 11.88mm
	标准/认证 RoHS
	长度 10.1mm
	宽度 2.4mm
	汽车标准否

Datasheet - IMT44R011M2HXTMA2

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolSiC MOSFET特别适用于高频开关和同步整流,并具有基准栅极阈值电压。此外,它还采用XT互连技术,实现了同类最佳的热性能。

100% 雪崩测试

推荐门驱动电压

符合工业应用标准

用于储能、UPS 和电池形成

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