Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=440 V, 144 A, TO-LL, 表面安装, 8引脚, IMT44R011M2HXTMA2, CoolSiC系列

N
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制造商零件编号:
IMT44R011M2HXTMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N 沟道

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

144A

最大漏源电压 Vd

440V

系列

CoolSiC

包装类型

TO-LL

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

11.3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

4.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

85nC

最大功耗 Pd

429W

最大栅源电压 Vgs

25 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

高度

11.88mm

宽度

2.4 mm

长度

10.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolSiC MOSFET特别适用于高频开关和同步整流,并具有基准栅极阈值电压。此外,它还采用XT互连技术,实现了同类最佳的热性能。

100% 雪崩测试

推荐门驱动电压

符合工业应用标准

用于储能、UPS 和电池形成