制造商编号

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, Id=30 A, 4针, TO-LL, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 762-923
制造商零件编号:: IMTA65R075M2HXTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, Id=30 A, 4针, TO-LL, CoolSiC系列

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RS 库存编号:: 762-923
制造商零件编号:: IMTA65R075M2HXTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	30A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	TO-LL
	系列	CoolSiC
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	95mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	25V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	32nC
	最大功耗 Pd	141W
	最高工作温度	175°C
	长度	8.2mm
	高度	1.6mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	8.2mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 30A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 TO-LL
	系列 CoolSiC
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 95mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 25V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC
	最大功耗 Pd 141W
	最高工作温度 175°C
	长度 8.2mm
	高度 1.6mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 8.2mm
	汽车标准否

Datasheet - IMTA65R075M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolSiC MOSFET提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它可实现成本效益高、效率高、简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

开关损耗极低

增强系统稳健性和可靠性

便于使用和集成

减少系统的尺寸、重量和材料成本

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