Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=1400 V, Id=100 A, 4针, PG-TO247-4, CoolSiC系列

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762-947
制造商零件编号:
IMYR140R019M2HXLSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

1400V

包装类型

PG-TO247-4

系列

CoolSiC

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

19mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

385W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

90nC

最大栅源电压 Vgs

25V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

宽度

16mm

高度

4.9mm

长度

23.8mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolSiC 1400 V G2 SiC MOSFET的额定电压为1400 V,100°C时电流容量为147 A,接通电阻低至8.5 mΩ。它支持高热性能,并可耐受短路 2 μs。该设备设计具有强大的寄生导通保护功能和高爬电距离。

开关损耗极低

稳健的体二极管，适用于硬换向

宽电源引脚,具有高电流能力

电阻性可焊接引脚,用于直接连接母线

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