Vishay P-通道沟道 MOSFET型 汽车 MOSFET, Vds=60 V, -4.4 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SQ4961CEY-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 790-420
- 制造商零件编号:
- SQ4961CEY-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 100 - 490 | RMB4.109 | RMB41.09 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-420
- 制造商零件编号:
- SQ4961CEY-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 产品类型 | 汽车 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -4.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.085Ω | |
| 通道模式 | MOSFET | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 40nC | |
| 最大功耗 Pd | 3.3W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P-通道 | ||
产品类型 汽车 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -4.4A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.085Ω | ||
通道模式 MOSFET | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 40nC | ||
最大功耗 Pd 3.3W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay Power MOSFET在汽车应用中表现出色，采用双P沟道配置，可在175°C的极端温度条件下有效管理高达60V的电压。
已通过 AEC Q101 认证，符合汽车行业对可靠性的要求
100% R 和 UIS 测试确保稳定运行
双P沟道配置可提高设计灵活性
低导通电阻可提高能效