制造商编号

Vishay 双N沟道 MOSFET型汽车 MOSFET, Vds=60 V, 21 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ768ELP-T1_GE3, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 790-425
制造商零件编号:: SQJ768ELP-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay 双N沟道 MOSFET型汽车 MOSFET, Vds=60 V, 21 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ768ELP-T1_GE3, TrenchFET系列

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制造商:: Vishay

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	汽车 MOSFET
	槽架类型	双N沟道
	最大连续漏极电流 Id	21A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	TrenchFET
	包装类型	PowerPAK SO-8L
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	0.0305Ω
	通道模式	MOSFET
	最大功耗 Pd	35W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	25nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	AEC-Q101
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型汽车 MOSFET
	槽架类型双N沟道
	最大连续漏极电流 Id 21A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 TrenchFET
	包装类型 PowerPAK SO-8L
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 0.0305Ω
	通道模式 MOSFET
	最大功耗 Pd 35W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 AEC-Q101
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQJ768ELP-T1_GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Automotive 双 N 沟道功率 MOSFET 在宽温度范围内提供稳健性能，专为高效管理汽车系统中的开关和驱动应用而设计。

采用TrenchFET功率MOSFET技术，确保高效运行

已通过 AEC Q101 汽车应用可靠性认证

100%通过R和UIS测试，确保性能

低导通电阻值有助于提高效率

Vishay 双N沟道 MOSFET型 汽车 MOSFET, Vds=60 V, 21 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ768ELP-T1_GE3, TrenchFET系列

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