Vishay N沟道 MOSFET型 汽车 MOSFET, Vds=80 V, 49 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ183ELP-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 790-424
- 制造商零件编号:
- SQJ183ELP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB8.592 | RMB85.92 |
| 100 - 490 | RMB5.326 | RMB53.26 |
| 500 - 990 | RMB4.129 | RMB41.29 |
| 1000 + | RMB2.785 | RMB27.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-424
- 制造商零件编号:
- SQJ183ELP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 汽车 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 49A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0295Ω | |
| 通道模式 | MOSFET | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最大功耗 Pd | 147W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 汽车 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 49A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8L | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0295Ω | ||
通道模式 MOSFET | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
最大功耗 Pd 147W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay汽车级N沟道MOSFET作为功率开关器件提供卓越性能。它专为高效应用而设计，提供卓越的热性能和驱动能力。
TrenchFET技术确保更低的导通电阻
已通过 AEC Q101 认证，符合汽车行业对可靠性的要求
综合热阻等级提升了散热性能
单脉冲雪崩电流额定值可最大程度提高耐用性