制造商编号

Vishay N沟道 MOSFET型汽车 MOSFET, Vds=80 V, 49 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ183ELP-T1_GE3, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 790-424
制造商零件编号:: SQJ183ELP-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道 MOSFET型汽车 MOSFET, Vds=80 V, 49 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ183ELP-T1_GE3, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 790-424
制造商零件编号:: SQJ183ELP-T1_GE3
制造商:: Vishay

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N沟道
	产品类型	汽车 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	49A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	PowerPAK SO-8L
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	0.0295Ω
	通道模式	MOSFET
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	31nC
	最大功耗 Pd	147W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	AEC-Q101
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N沟道
	产品类型汽车 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 49A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 PowerPAK SO-8L
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 0.0295Ω
	通道模式 MOSFET
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC
	最大功耗 Pd 147W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 AEC-Q101
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQJ183ELP-T1_GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay汽车级N沟道MOSFET作为功率开关器件提供卓越性能。它专为高效应用而设计，提供卓越的热性能和驱动能力。

TrenchFET技术确保更低的导通电阻

已通过 AEC Q101 认证，符合汽车行业对可靠性的要求

综合热阻等级提升了散热性能

单脉冲雪崩电流额定值可最大程度提高耐用性

Vishay N沟道 MOSFET型 汽车 MOSFET, Vds=80 V, 49 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ183ELP-T1_GE3, TrenchFET系列

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