Vishay P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=-80 V, -128 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ181ELP-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-269
- 制造商零件编号:
- SQJ181ELP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥15.84
(不含税)
¥17.90
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年12月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB15.84 |
| 10 - 24 | RMB10.33 |
| 25 - 99 | RMB5.41 |
| 100 - 499 | RMB5.31 |
| 500 + | RMB5.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-269
- 制造商零件编号:
- SQJ181ELP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -128A | |
| 最大漏源电压 Vd | -80V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0283Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 59nC | |
| 最大功耗 Pd | 468W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 宽度 | 4.9 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P-通道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -128A | ||
最大漏源电压 Vd -80V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK SO-8L | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0283Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 59nC | ||
最大功耗 Pd 468W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 6.15mm | ||
宽度 4.9 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN