Vishay P-通道沟道增强型MOSFET, Vds=-80 V, Id=-128 A, 4针, PowerPAK SO-8L, TrenchFET系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB17.92

(不含税)

RMB20.25

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 2,891 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
1 - 9RMB17.92
10 - 24RMB11.69
25 - 99RMB11.34
100 - 499RMB11.11
500 +RMB10.78

* 参考价格

RS 库存编号:
735-269
制造商零件编号:
SQJ181ELP-T1_GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

P-通道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-128A

最大漏源电压 Vd

-80V

包装类型

PowerPAK SO-8L

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.0283Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

468W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

59nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

长度

6.15mm

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

4.9mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

相关链接