制造商编号

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=60 V, 461 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIJK4610-T1-GE3, TrenchFET Gen IV系列

RS 库存编号:: 790-428
制造商零件编号:: SIJK4610-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=60 V, 461 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIJK4610-T1-GE3, TrenchFET Gen IV系列

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RS 库存编号:: 790-428
制造商零件编号:: SIJK4610-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N沟道
	最大连续漏极电流 Id	461A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	TrenchFET Gen IV
	包装类型	PowerPAK 10 x 12
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0012Ω
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	446W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	160nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	12mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	10mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N沟道
	最大连续漏极电流 Id 461A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 TrenchFET Gen IV
	包装类型 PowerPAK 10 x 12
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0012Ω
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 446W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 160nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 12mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 10mm
	汽车标准否

Datasheet - SIJK4610-T1-GE3

COO (Country of Origin):: IL

Vishay N Channel MOSFET 为各种应用提供卓越的性能。它采用稳健设计，可最大限度减少功率损耗并提供卓越的传导效率，适用于电源管理系统。

额定工作电压为 60 V，可提高系统可靠性

具有低接通电阻，可降低功耗

Kelvin 连接可显著降低栅极噪声干扰

稳健的 77 A 连续漏极电流能力可确保卓越性能

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=60 V, 461 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIJK4610-T1-GE3, TrenchFET Gen IV系列

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