Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=60 V, 461 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIJK4610-T1-GE3, TrenchFET Gen IV系列

N

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RS 库存编号:
790-428
制造商零件编号:
SIJK4610-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

461A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK 10 x 12

系列

TrenchFET Gen IV

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0012Ω

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

160nC

最大功耗 Pd

446W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

长度

12mm

标准/认证

RoHS

宽度

10mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N Channel MOSFET 为各种应用提供卓越的性能。它采用稳健设计,可最大限度减少功率损耗并提供卓越的传导效率,适用于电源管理系统。

额定工作电压为 60 V,可提高系统可靠性

具有低接通电阻,可降低功耗

Kelvin 连接可显著降低栅极噪声干扰

稳健的 77 A 连续漏极电流能力可确保卓越性能