Infineon N沟道 MOSFET 模块, Vds=1200 V, 40 A, FS17MR12W2M1HB11ABPSA2, EasyPACK 2B系列
- RS 库存编号:
- 690-434
- 制造商零件编号:
- FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 690-434
- 制造商零件编号:
- FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET 模块 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | EasyPACK 2B | |
| 最大漏源电阻 Rd | 16.2mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 149nC | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 正向电压 Vf | 4.2V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, AQG 324 | |
| 长度 | 56.7mm | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 汽车标准 | AQG 324 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET 模块 | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 EasyPACK 2B | ||
最大漏源电阻 Rd 16.2mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 149nC | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
正向电压 Vf 4.2V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, AQG 324 | ||
长度 56.7mm | ||
高度 1.6mm | ||
汽车标准 AQG 324 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
