制造商编号

Vishay N沟道增强模式型单 MOSFET, Vds=80 V, 125 A, P, 表面安装, 8引脚, SIR680ADP-T1-UE3, SIR系列

RS 库存编号:: 829-343
制造商零件编号:: SIR680ADP-T1-UE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强模式型单 MOSFET, Vds=80 V, 125 A, P, 表面安装, 8引脚, SIR680ADP-T1-UE3, SIR系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB17.07

(不含税)

RMB19.29

在 2027年9月06日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
1 - 9	RMB17.07
10 - 24	RMB11.08
25 - 99	RMB6.57
100 - 499	RMB6.38
500 +	RMB6.28

* 参考价格

RS 库存编号:: 829-343
制造商零件编号:: SIR680ADP-T1-UE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	单 MOSFET
	槽架类型	N沟道
	最大连续漏极电流 Id	125A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	SIR
	包装类型	P
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.00288Ω
	通道模式	增强模式
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	55nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	104W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	150°C
	长度	6.15mm
	标准/认证	RoHS Compliant
	宽度	5.15mm
	高度	1.04mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型单 MOSFET
	槽架类型 N沟道
	最大连续漏极电流 Id 125A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 SIR
	包装类型 P
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.00288Ω
	通道模式增强模式
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 104W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 150°C
	长度 6.15mm
	标准/认证 RoHS Compliant
	宽度 5.15mm
	高度 1.04mm
	汽车标准否

Datasheet - SIR680ADP-T1-UE3

COO (Country of Origin):: IL

这款Vishay功率MOSFET专为高效开关应用而设计，采用紧凑设计，在电路设计中能优化空间利用率和散热性能。

采用TrenchFET第四代技术的N沟道80V MOSFET，性能卓越

极低R-DS(on)额定值可减少运行期间的功耗

脉冲漏极电流能力达300A，支持严苛应用

增强的热特性确保在高温条件下的可靠性

Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=80 V, 125 A, P, 表面安装, 8引脚, SIR680ADP-T1-UE3, SIR系列

批量定价选项

相关链接

Vishay N沟道增强模式型单 MOSFET, Vds=80 V, 125 A, P, 表面安装, 8引脚, SIR680ADP-T1-UE3, SIR系列