Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=80 V, Id=125 A, 8针, P, SIR系列

N
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RS 库存编号:
829-343
制造商零件编号:
SIR680ADP-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

125A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

SIR

包装类型

P

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00288Ω

通道模式

增强模式

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

55nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

104W

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

长度

6.15mm

高度

1.04mm

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

5.15mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
这款Vishay功率MOSFET专为高效开关应用而设计，采用紧凑设计，在电路设计中能优化空间利用率和散热性能。

采用TrenchFET第四代技术的N沟道80V MOSFET，性能卓越

极低R-DS(on)额定值可减少运行期间的功耗

脉冲漏极电流能力达300A，支持严苛应用

增强的热特性确保在高温条件下的可靠性

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