Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=80 V, 3.4 A, P, 表面安装, 8引脚, SIR580DP-T1-UE3, SI系列

N
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829-364
制造商零件编号:
SIR580DP-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

3.4A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

P

系列

SI

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0192Ω

通道模式

增强模式

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

37.7nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

104W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

高度

1.04mm

长度

6.15mm

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

5.15mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
DE
Vishay高性能N沟道MOSFET专为实现高效电源管理而设计。这款高级组件在需要高电流处理能力和电压调节的应用中表现出色。

采用第五代TrenchFET技术，可实现卓越能效

低导通电阻可减少功耗

通过包括UIS测试在内的全面可靠性测试

优化了低RxQ品质因数以提升性能

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