Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=100 V, 14.2 A, P, 表面安装, 8引脚, SISS110DN-T1-GE3, SISS系列

N
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829-345
制造商零件编号:
SISS110DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

14.2A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

P

系列

SISS

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.054Ω

通道模式

增强模式

最大功耗 Pd

24W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.5nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

3.30mm

长度

3.30mm

高度

1.04mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N沟道MOSFET提供高效的电源管理解决方案，具有出色的导通性能。它专为严苛应用设计，提供卓越的开关操作和热性能表现。

采用第四代TrenchFET技术，确保卓越的效率和性能

100%通过RDS(on)和UIS测试，确保可靠运行

连续额定漏极电流为11A，确保稳定供电

优化了低导通电阻值，提升了散热性能

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