Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 16.2 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiSS73DN系列

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188-4907
制造商零件编号:
SISS73DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

16.2A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

SiSS73DN

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

125mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

65.8W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14.6nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

-1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

3.3 mm

标准/认证

No

长度

3.3mm

高度

0.78mm

汽车标准

P 通道 150V (D-S) MOSFET 。

具有 ThunderFET 技术的 TrenchFET ®

极低的 RDS (on) 可最大限度地减少传导造成的功率损耗