Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=60 V, 7 A, PowerPAK 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS4634LDN-T1-GE3, SISS系列
- RS 库存编号:
- 829-347
- 制造商零件编号:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB4.02 |
| 25 - 99 | RMB2.65 |
| 100 - 499 | RMB1.57 |
| 500 + | RMB1.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-347
- 制造商零件编号:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 系列 | SISS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0285Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大功耗 Pd | 19.8W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 长度 | 3.30mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 3.30mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
系列 SISS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0285Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大功耗 Pd 19.8W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.04mm | ||
长度 3.30mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 3.30mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay出色的N 沟道 MOSFET专为高效电源管理而设计。它在降低开关相关功耗方面表现出色，同时能在各种应用中提供稳健性能。
采用 TrenchFET Gen IV 技术实现能效提升
完全无铅设备确保符合环保要求
经优化的充电特性可最大限度减少能耗
全面Rg和UIS测试确保可靠性