制造商编号

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=60 V, Id=19 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 851-496
制造商零件编号:: SIHH150N60E-T1-FE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=60 V, Id=19 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 851-496
制造商零件编号:: SIHH150N60E-T1-FE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	19A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	TrenchFET
	包装类型	PowerPAK
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0Ω
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1V
	最大功耗 Pd	375W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	36nC
	最高工作温度	175°C
	高度	1mm
	标准/认证	AEC-Q101 Qualified
	长度	6mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 19A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 TrenchFET
	包装类型 PowerPAK
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0Ω
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1V
	最大功耗 Pd 375W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC
	最高工作温度 175°C
	高度 1mm
	标准/认证 AEC-Q101 Qualified
	长度 6mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SIHH150N60E-T1-FE3

COO (Country of Origin):: IL

Vishay 功率 MOSFET 专为在电源管理应用中提供高效率而设计,可在严苛环境中优化性能。

采用先进的E系列技术,可提高能效

提供低品质指数,可提升整体性能

显著降低传导和开关损耗,延长使用寿命

雪崩等级,确保在极端条件下可靠运行

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