Vishay N沟道 增强模式型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 375 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIHG033N60SF-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 851-495
- 制造商零件编号:
- SIHG033N60SF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB70.22 |
| 10 - 49 | RMB43.55 |
| 50 - 99 | RMB26.38 |
| 100 + | RMB25.79 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 851-495
- 制造商零件编号:
- SIHG033N60SF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 375A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 101nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 Qualified | |
| 长度 | 6mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 375A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 101nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 Qualified | ||
长度 6mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 功率 MOSFET 专为高性能开关应用而设计,具有卓越的效率和可靠性。该组件采用快速体二极管技术,适用于严苛的电压和电流条件。
最新一代 SF 系列技术可提升性能长效性
低品质指数确保高效运行
雪崩能量等级,确保在极端条件下坚固耐用
材料分类有助于在各种应用中合规