Microchip N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=3300 V, Id=151 A, mSiC系列
- RS 库存编号:
- 854-513
- 制造商零件编号:
- MSCSM330AM15D3NG
- 制造商:
- Microchip
N
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
小计（1 件）*
RMB4,209.36
(不含税)
RMB4,756.58
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年3月29日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB4,209.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 854-513
- 制造商零件编号:
- MSCSM330AM15D3NG
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | SiC 电源模块 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 151A | |
| 最大漏源电压 Vd | 3300V | |
| 系列 | mSiC | |
| 安装类型 | 散热器 | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大功耗 Pd | 1013W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 半桥 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 SiC 电源模块 | ||
最大连续漏极电流 Id 151A | ||
最大漏源电压 Vd 3300V | ||
系列 mSiC | ||
安装类型 散热器 | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大功耗 Pd 1013W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 半桥 | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 碳化硅电源模块提供相臂配置，可通过卓越的效率和可靠性有效控制高压电源应用。
设计具有低导通电阻，可在高温条件下高效运行
包含坚固的塑料外壳，可提高爬电距离和间隙
采用 Kelvin 源，可简化栅极驱动
由铜基板制成，可实现卓越的热管理
相关链接
- Microchip N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=3300 V, Id=151 A, mSiC系列
- Microchip N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=3300 V, Id=295 A, mSiC系列
- Microchip N沟道 MOSFET, Vds=3300 V, 27 A, TO-247-4L, 螺钉接线端子安装, 4引脚, MSC080SMA330B4N, mSiC系列
- onsemi SiC 电源模块, Id=28 A, 3针, TO-220
- ROHM N沟道SiC 电源模块, Vds=1200 V, Id=204 A
- onsemi N沟道SiC 电源模块, Vds=1200 V, Id=304 A, 36针, F2
- Microchip N沟道模块, Vds=1200 V, Id=251 A, MSCSM系列
- Microchip N沟道模块, Vds=1700 V, Id=179 A, MSCSM系列