STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1.5 kV, Id=8 A, 3针, TO-247, MDmesh系列

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RS 库存编号:
103-1997
制造商零件编号:
STW9N150
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

1.5kV

系列

MDmesh

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.5Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

89.3nC

最大功耗 Pd

320W

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最高工作温度

150°C

宽度

5.15mm

长度

15.75mm

高度

20.15mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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