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STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1.5 kV, Id=4 A, 3针, TO-247, MDmesh系列

RS 库存编号:: 920-6566
制造商零件编号:: STW4N150
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1.5 kV, Id=4 A, 3针, TO-247, MDmesh系列

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RS 库存编号:: 920-6566
制造商零件编号:: STW4N150
制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	4A
	最大漏源电压 Vd	1.5kV
	系列	MDmesh
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	7Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	160W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	30nC
	正向电压 Vf	2V
	最大栅源电压 Vgs	-30V, +30V
	最高工作温度	150°C
	高度	20.15mm
	长度	15.75mm
	宽度	5.15mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 4A
	最大漏源电压 Vd 1.5kV
	系列 MDmesh
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 7Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 160W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC
	正向电压 Vf 2V
	最大栅源电压 Vgs -30V, +30V
	最高工作温度 150°C
	高度 20.15mm
	长度 15.75mm
	宽度 5.15mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1.5 kV, Id=4 A, 3针, TO-247, MDmesh系列

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MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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