Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=46 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 110-9115
制造商零件编号:: BSC097N06NSATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=46 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 110-9115
制造商零件编号:: BSC097N06NSATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	46A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	TDSON
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	14.6mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	12nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	36W
	最高工作温度	150°C
	高度	1.1mm
	长度	5.35mm
	宽度	6.1mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 46A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 TDSON
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 14.6mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 36W
	最高工作温度 150°C
	高度 1.1mm
	长度 5.35mm
	宽度 6.1mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Infineon OptiMOS 系列 MOSFET，60V 漏源电压，46A 连续漏极电流 - BSC097N06NSATMA1

该 MOSFET 是一款功率晶体管，专为高电流低压电路中的开关和放大而设计。它可在宽温度范围内运行，并采用紧凑的表面安装封装，适用于密集型电路板布局。该设备专为需要高效传导和栅极控制的苛刻电子组件而设计。

特性和优点：

• 最大漏源电压为 60V，支持稳健的低压开关
• 46A 连续漏极电流支持高电流负载处理
• 低 RDS(on) 14.6 mΩ 可减少电源路径中的传导损耗
• 最大功耗为 36W，支持持续的热负载
• 典型栅极电荷为 12 nC，提供快速栅极转换
• 栅源容差为 20V，支持灵活的驱动电压

应用

• 适用于同步降压稳压器级
• 非常适用于电机驱动半桥电路
• 与服务器电源中的 DC-DC 转换器配合使用
• 可用于电池管理和配电
• 适用于高电流负载点开关

它在运行过程中能承受哪种热环境？

其额定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，适用于工业和高温应用。

PCB 组装提供哪种封装和安装方式？

该组件采用 TDSON 封装，专为表面安装而设计，便于自动组装。

用于切换行为的通道类型和模式是什么？

该设备采用 N 通道增强型拓扑结构，在适当驱动条件下适用于低边和高边开关。

该设备在电路中提供多少个电气连接？

它采用 8 引脚配置，可适配栅极、漏极和源极连接以及热传导路径。