Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=100 A, 8针, TDSON, OptiMOS 5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
906-4292
制造商零件编号:
BSC039N06NSATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS 5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5.9mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

27nC

最大功耗 Pd

69W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

5.35mm

长度

6.1mm

高度

1.1mm

汽车标准

否

豁免

Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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