ROHM P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=2 A, 3针, TSMT, RTR020P02系列
- RS 库存编号:
- 124-6830
- 制造商零件编号:
- RQ5C020TPTL
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
查看批量定价选项小计(1 包,共 25 件)*
RMB85.35
(不含税)
RMB96.45
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年2月05日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | RMB3.414 | RMB85.35 |
| 750 - 1475 | RMB3.311 | RMB82.78 |
| 1500 + | RMB3.212 | RMB80.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 124-6830
- 制造商零件编号:
- RQ5C020TPTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | RTR020P02 | |
| 包装类型 | TSMT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 250mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 RTR020P02 | ||
包装类型 TSMT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 250mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最大栅源电压 Vgs 12V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.9nC | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.9mm | ||
宽度 1.6mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.85mm | ||
汽车标准 否 | ||
P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM
MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor
相关链接
- ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=45 V, 2 A, TSMT, 表面安装, 3引脚, RQ5H020SPTL, RQ5H020SP系列
- ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, -2 A, SOT-346, 表面安装, 3引脚, RTR020P02HZGTL, RTR020P02HZG系列
- ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, -2 A, SOT-346, 表面安装, 3引脚, RTR020P02HZG系列
- ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, -3 A, SOT-346, 表面安装, 3引脚, RQ5C030TPTL, RQ5C030TP系列
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=45 V, 2 A, SOT-346, 表面安装, 3引脚, RTR020N05HZGTL, RTR020N05HZG系列
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, TSMT-3, 表面安装, 3引脚, RQ5P035BGTCL, RQ5系列
- ROHM P型沟道 P型 MOSFET, Vds=60 V, 5 A, TSMT, 表面安装, 8引脚, RQ7L050ATTCR, RQ7L050AT系列
- ROHM P型沟道 P型 MOSFET, Vds=40 V, 8 A, TSMT, 表面安装, 8引脚, RQ7G080ATTCR, RQ7G080AT系列
