ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=45 V, 2 A, TSMT, 表面安装, 3引脚, RQ5H020SPTL, RQ5H020SP系列

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包装方式:
RS 库存编号:
133-3302
制造商零件编号:
RQ5H020SPTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2A

最大漏源电压 Vd

45V

包装类型

TSMT

系列

RQ5H020SP

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

280mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9.5nC

正向电压 Vf

-1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

长度

3mm

标准/认证

No

宽度

1.8 mm

高度

0.95mm

汽车标准

P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM


MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor