制造商编号

ROHM P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=200 mA, 3针, ESM, RZM002P02系列

RS 库存编号:: 124-6846
制造商零件编号:: RZM002P02T2L
制造商:: ROHM

ROHM P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=200 mA, 3针, ESM, RZM002P02系列

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RS 库存编号:: 124-6846
制造商零件编号:: RZM002P02T2L
制造商:: ROHM

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	200mA
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	ESM
	系列	RZM002P02
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	9.6Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	1.4nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	150mW
	最大栅源电压 Vgs	10V
	正向电压 Vf	-1.2V
	最高工作温度	150°C
	长度	1.3mm
	高度	0.45mm
	标准/认证	No
	宽度	0.9mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 200mA
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 ESM
	系列 RZM002P02
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 9.6Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.4nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 150mW
	最大栅源电压 Vgs 10V
	正向电压 Vf -1.2V
	最高工作温度 150°C
	长度 1.3mm
	高度 0.45mm
	标准/认证 No
	宽度 0.9mm
	汽车标准否

P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM

MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor

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