ROHM , 1 P型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=20 V, TSMT-3, 表面安装, 3引脚, RTU002P02T106
- RS 库存编号:
- 178-649
- 制造商零件编号:
- RTU002P02T106
- 制造商:
- ROHM
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|---|---|---|
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| 1500 + | RMB0.738 | RMB7.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-649
- 制造商零件编号:
- RTU002P02T106
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | TSMT-3 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -12/12 V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 宽度 | 1.6 mm | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 TSMT-3 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -12/12 V | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 2.9mm | ||
宽度 1.6 mm | ||
高度 0.85mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP