Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=75 V, 128 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRFS3307ZTRLPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
130-0997
制造商零件编号:
IRFS3307ZTRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

128A

最大漏源电压 Vd

75V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5.8mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

230W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

79nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

10.67mm

标准/认证

No

高度

4.83mm

宽度

9.65 mm

汽车标准

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。