Texas Instruments P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=104 A, 8针, VSON, NexFET系列

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RS 库存编号:
133-0156
制造商零件编号:
CSD25404Q3T
制造商:
Texas Instruments
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品牌

Texas Instruments

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

104A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

NexFET

包装类型

VSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

150mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

96W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10.8nC

最大栅源电压 Vgs

-12V, +12V

正向电压 Vf

-1V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

3.4mm

长度

3.4mm

高度

1.1mm

汽车标准

否

P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments


MOSFET 晶体管，Texas Instruments


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