Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 32 A, SOP, 表面安装, 8引脚, TPH11003NL,LQ(S, U-MOSVIII-H系列

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制造商零件编号:
TPH11003NL,LQ(S
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

32A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

U-MOSVIII-H

包装类型

SOP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

16mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

21W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.5nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

5mm

高度

0.95mm

宽度

5 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
JP

MOSFET 晶体管,Toshiba