Toshiba N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=38 A, 8针, SOP, U-MOSVIII-H系列
- RS 库存编号:
- 133-2810
- 制造商零件编号:
- TPH8R903NL,LQ(S
- 制造商:
- Toshiba
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- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 38A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | U-MOSVIII-H | |
| 包装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 24W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9.8nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 38A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 U-MOSVIII-H | ||
包装类型 SOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 24W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.8nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5mm | ||
高度 0.95mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET 晶体管，Toshiba
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