ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=50 V, Id=200 mA, 3针, SOT-23, RYC002N05系列

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包装方式：
RS 库存编号:
133-2856
制造商零件编号:
RYC002N05T316
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

200mA

最大漏源电压 Vd

50V

系列

RYC002N05

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

9Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

8V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

26nC

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

350mW

最高工作温度

150°C

宽度

1.5mm

高度

1.15mm

标准/认证

No

长度

3.1mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM


MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor


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