制造商编号

ROHM N沟道增强型单 MOSFET, Vds=40 V, 3针, TSMT-3, RQ5系列

RS 库存编号:: 646-556
制造商零件编号:: RQ5G060BGTCL
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型单 MOSFET, Vds=40 V, 3针, TSMT-3, RQ5系列

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100 - 240	RMB2.029	RMB20.29
250 - 990	RMB1.825	RMB18.25
1000 - 4990	RMB1.771	RMB17.71
5000 +	RMB1.717	RMB17.17

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RS 库存编号:: 646-556
制造商零件编号:: RQ5G060BGTCL
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	N
	产品类型	单 MOSFET
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	TSMT-3
	系列	RQ5
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	20.6mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	1.0W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	10.6nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	高度	1mm
	长度	3mm
	宽度	3mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 N
	产品类型单 MOSFET
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 TSMT-3
	系列 RQ5
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 20.6mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 1.0W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.6nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	高度 1mm
	长度 3mm
	宽度 3mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - RQ5G060BGTCL

ROHM N 通道 40 V 6 A 功率金属氧化物半导体场效应晶体管，采用低导通电阻，TSMT3 小型表面贴装封装类型和无铅电镀工艺，并符合有害物质限制标准。

无卤素

经过 100% Rg 和 UIS 测试

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