Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=120 A, 4针, TO-220, SUP50020E系列

暂时无法供应
抱歉,我们不知道何时会有货
包装方式:
RS 库存编号:
134-9705
制造商零件编号:
SUP50020E-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-220

系列

SUP50020E

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

2.8mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

126nC

最大功耗 Pd

375W

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4.65mm

高度

15.49mm

长度

10.51mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,TrenchFET 高达 Gen III,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


相关链接