制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=150 A, 3针, TO-220, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 228-2992
制造商零件编号:: SUP90100E-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=150 A, 3针, TO-220, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 228-2992
制造商零件编号:: SUP90100E-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	150A
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	TrenchFET
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	10.9mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	375W
	正向电压 Vf	0.8V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	72.8nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 150A
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 TrenchFET
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 10.9mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 375W
	正向电压 Vf 0.8V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 72.8nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - SUP90100E-GE3

Vishay N 通道 200 V (D-S) MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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