Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=85 A, 3针, TO-220, SUP85N10-10P系列

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包装方式：
RS 库存编号:
708-5178
制造商零件编号:
SUP85N10-10-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

85A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-220

系列

SUP85N10-10P

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

10.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

250W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

105nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

高度

9.01mm

长度

10.41mm

宽度

4.7mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


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