制造商编号

Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=4.4 A, 3针, SOT-23, PMV40UN2系列

RS 库存编号:: 136-4862
制造商零件编号:: PMV40UN2R
制造商:: Nexperia

Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=4.4 A, 3针, SOT-23, PMV40UN2系列

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RS 库存编号:: 136-4862
制造商零件编号:: PMV40UN2R
制造商:: Nexperia

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Nexperia
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	4.4A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	PMV40UN2
	包装类型	SOT-23
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	44mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	7nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	-12V, +12V
	最大功耗 Pd	5W
	最高工作温度	150°C
	高度	1mm
	长度	3mm
	宽度	1.4mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Nexperia
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 4.4A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 PMV40UN2
	包装类型 SOT-23
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 44mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs -12V, +12V
	最大功耗 Pd 5W
	最高工作温度 150°C
	高度 1mm
	长度 3mm
	宽度 1.4mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

N 通道 MOSFET ，高达 30V

MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

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