ROHM N沟道增强型SiC 电源模块, 2个元件/芯片, Vds=1200 V, Id=300 A, 4针, BSM系列

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RS 库存编号:
144-2260
制造商零件编号:
BSM300D12P2E001
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

SiC 电源模块

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

300A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

BSM

安装类型

表面

引脚数目

4

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1875W

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

150°C

长度

152mm

高度

17mm

宽度

57.95mm

每片芯片元件数目

2

COO (Country of Origin):
JP

SiC 电源模块,ROHM


该模块包含碳化硅 (SiC) DMOS 电源 FET 设备,肖特基势垒二极管 (SBD) 横跨漏极和源极。

半桥配置

低浪涌电流

低功率切换损耗

高速切换

低工作温度

MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC 电源模块不包括肖特基势垒二极管。

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