ROHM , 2 N型沟道 增强型 SiC 电源模块, 4引脚, BSM系列, BSM180D12P3C007
- RS 库存编号:
- 144-2254
- 制造商零件编号:
- BSM180D12P3C007
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 12 - 48 | RMB5,741.888 | RMB68,902.66 |
| 60 + | RMB5,627.049 | RMB67,524.59 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 144-2254
- 制造商零件编号:
- BSM180D12P3C007
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | SiC 电源模块 | |
| 系列 | BSM | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 122mm | |
| 宽度 | 45.6mm | |
| 高度 | 17mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 SiC 电源模块 | ||
系列 BSM | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 122mm | ||
宽度 45.6mm | ||
高度 17mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
SiC 电源模块，ROHM
该模块包含碳化硅 (SiC) DMOS 电源 FET 设备，肖特基势垒二极管 (SBD) 横跨漏极和源极。
半桥配置
低浪涌电流
低功率切换损耗
高速切换
低工作温度
MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
Note
BSM180D12P2C101 SiC 电源模块不包括肖特基势垒二极管。