制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=4.3 A, 3针, IPAK (TO-251), IRFU系列

RS 库存编号:: 145-1621
制造商零件编号:: IRFU110PBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=4.3 A, 3针, IPAK (TO-251), IRFU系列

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375 +	RMB5.753	RMB431.48

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RS 库存编号:: 145-1621
制造商零件编号:: IRFU110PBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	4.3A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	IRFU
	包装类型	IPAK (TO-251)
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.54Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	25W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	8.3nC
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	正向电压 Vf	100V
	最高工作温度	150°C
	高度	6.22mm
	宽度	2.38mm
	标准/认证	RoHS 2002/95/EC
	长度	6.73mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 4.3A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 IRFU
	包装类型 IPAK (TO-251)
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.54Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 25W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.3nC
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	正向电压 Vf 100V
	最高工作温度 150°C
	高度 6.22mm
	宽度 2.38mm
	标准/认证 RoHS 2002/95/EC
	长度 6.73mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: MY

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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