Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=1.4 A, 3针, IPAK, IRFU1N60A系列
- RS 库存编号:
- 145-1664
- 制造商零件编号:
- IRFU1N60APBF
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 管，共 75 件）*
RMB438.75
(不含税)
RMB495.75
(含税)
暂时缺货
- 450 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 75 - 300 | RMB5.85 | RMB438.75 |
| 375 + | RMB5.265 | RMB394.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-1664
- 制造商零件编号:
- IRFU1N60APBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 系列 | IRFU1N60A | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 36W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 宽度 | 2.39mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.4A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 IPAK | ||
系列 IRFU1N60A | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 36W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.73mm | ||
高度 6.22mm | ||
宽度 2.39mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Vishay IRFU1N60A 系列功率 MOSFET，600V 漏源电压，1.4A 连续漏极电流 - IRFU1N60APBF
这款功率 MOSFET 是一款高压 N 通道开关晶体管，专为工业电子产品中的通孔组装而设计。它专为需要处理高漏源电压和中等连续电流的应用而设计，可在宽温度范围内运行，适用于苛刻环境。该设备符合 RoHS 标准，采用 IPak 通孔封装。
特性和优点：
• 600V 漏源电压，实现高压开关能力
• 1.4A 连续漏极电流，支持中等负载电流
• 7Ω 最大 Rds(on)，可在低电流下减少传导损耗
• 36W 功耗，可持续处理热负载
• 14nC 典型栅极电荷，可实现高效的栅极驱动行为
• 栅源耐受电压高达 30V，确保稳固的控制电压余量
• 1.4A 连续漏极电流，支持中等负载电流
• 7Ω 最大 Rds(on)，可在低电流下减少传导损耗
• 36W 功耗，可持续处理热负载
• 14nC 典型栅极电荷，可实现高效的栅极驱动行为
• 栅源耐受电压高达 30V，确保稳固的控制电压余量
应用
• 适用于需要高压开关的离线电源
• 用于照明镇流器和灯控制电路
• 适用于低功率系统中的电机驱动栅极
• 可用于转换器中的缓冲器或夹式开关功能
• 与需要高 Vds 的传感器和测量前端配合使用
• 用于照明镇流器和灯控制电路
• 适用于低功率系统中的电机驱动栅极
• 可用于转换器中的缓冲器或夹式开关功能
• 与需要高 Vds 的传感器和测量前端配合使用
该设备在运行过程中可承受哪些极端温度？
其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可用于工业和高温组件。
晶体管如何安装在电路板上？
它专为 IPak 封装中的通孔安装而设计，可实现牢固的机械固定。
在传导场景中，典型正向电压是多少？
该设备在主体-二极管传导的指定测试条件下具有 1.6V 的正向电压。
由于电荷原因，该栅极是否需要特殊的驱动考量？
由于典型栅极电荷为 14nC，应选择栅极驱动器，为预期开关速度提供足够的电流，而不会出现过多驱动损耗。
相关链接
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 1.4 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU1N60APBF, IRFU1N60A系列
- Vishay N沟道 功率 MOSFET, Vds=400 V, 1.7 A, IPAK, 表面安装, 3引脚, IRFU310PBF, IRFU310系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 2.4 A, IPAK, 表面安装, 3引脚, IRFU420PBF, IRFU420系列
- Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 2.4 A, IPAK, 表面安装, 3引脚, IRFU420PBF, IRFU420系列
- Vishay N沟道 MOSFET, Vds=60 V, 14 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU024PBF
- Vishay P型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=-400 V, -1.8 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU9310PBF, IRFU9310系列
- Vishay N沟道 MOSFET, Vds=60 V, 7.7 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU014PBF
- Infineon N沟道 MOSFET, Vds=60 V, 71 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU7546PBF, HEXFET系列