Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 1.4 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU1N60APBF, IRFU1N60A系列

RS 库存编号:: 812-0660
制造商零件编号:: IRFU1N60APBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 1.4 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU1N60APBF, IRFU1N60A系列

小计（1 包，共 10 件）*

RMB58.50

(不含税)

RMB66.10

580 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
10 +	RMB5.85	RMB58.50

* 参考价格

RS 库存编号:: 812-0660
制造商零件编号:: IRFU1N60APBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	1.4A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	IPAK
	系列	IRFU1N60A
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	7Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	14nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	36W
	正向电压 Vf	1.6V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	2.39mm
	高度	6.22mm
	长度	6.73mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 1.4A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 IPAK
	系列 IRFU1N60A
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 7Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 36W
	正向电压 Vf 1.6V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 2.39mm
	高度 6.22mm
	长度 6.73mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: MY

Vishay IRFU1N60A 系列功率 MOSFET,600 V 漏源电压,36 W 功耗 - IRFU1N60APBF

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为工业电子系统中的功率转换和控制任务而设计。它适用于通孔板组装,并为需要高电压和耐热性的严苛环境提供保守的操作限制。

特性和优点：

• 600V 排放额定值可在高电压电路中运行
• 1.4 A 连续排放电流,可处理轻至中等负载
• 7 Ω RDS(on) 提供可预测的传导特性
• 14 nC 典型栅极电荷支持更低的开关损耗
• 36W 功耗可在高温条件下持续处理功率
• 150°C的最高接点温度支持高温运行

应用

• 适用于工业自动化设备的开关模式电源
• 适用于电机控制接口中的高压功率晶体管角色
• 用于配电模块的辅助电源转换
• 可用于需要通孔部件的仪器仪表中的信号切换

我应该允许哪些栅极驱动因素?

驱动电路应容纳 30 V 的最大栅极-源额定电压,并提供足够的驱动电流,以满足预期的开关速度为 14 nC 栅极充电。

封装对安装和热处理有何影响?

三针 IPAK 通孔封装便于稳健焊接连接,安装方式有助于将热量传输到铜平面或散热器排列。

部署支持的环境温度范围是多少?

该设备的工作温度范围为 -55°C 至最高 150°C

需要热管理以保持接点温度低于限值。

是否有任何环境或监管属性值得注意?

该组件符合 RoHS 限制物质标准,并未指定符合汽车标准。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 1.4 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU1N60APBF, IRFU1N60A系列