Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=1.4 A, 3针, IPAK, IRFU1N60A系列

RS 库存编号:: 812-0660
制造商零件编号:: IRFU1N60APBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=1.4 A, 3针, IPAK, IRFU1N60A系列

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RS 库存编号:: 812-0660
制造商零件编号:: IRFU1N60APBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	1.4A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	IRFU1N60A
	包装类型	IPAK
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	7Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	14nC
	最大功耗 Pd	36W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.6V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最高工作温度	150°C
	宽度	2.39mm
	长度	6.73mm
	高度	6.22mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 1.4A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 IRFU1N60A
	包装类型 IPAK
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 7Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC
	最大功耗 Pd 36W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.6V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最高工作温度 150°C
	宽度 2.39mm
	长度 6.73mm
	高度 6.22mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: MY

Vishay IRFU1N60A 系列功率 MOSFET，600V 漏源电压，1.4A 连续漏极电流 - IRFU1N60APBF

这款功率 MOSFET 是一款高压 N 通道开关晶体管，专为工业电子产品中的通孔组装而设计。它专为需要处理高漏源电压和中等连续电流的应用而设计，可在宽温度范围内运行，适用于苛刻环境。该设备符合 RoHS 标准，采用 IPak 通孔封装。

特性和优点：

• 600V 漏源电压，实现高压开关能力
• 1.4A 连续漏极电流，支持中等负载电流
• 7Ω 最大 Rds(on)，可在低电流下减少传导损耗
• 36W 功耗，可持续处理热负载
• 14nC 典型栅极电荷，可实现高效的栅极驱动行为
• 栅源耐受电压高达 30V，确保稳固的控制电压余量

应用

• 适用于需要高压开关的离线电源
• 用于照明镇流器和灯控制电路
• 适用于低功率系统中的电机驱动栅极
• 可用于转换器中的缓冲器或夹式开关功能
• 与需要高 Vds 的传感器和测量前端配合使用

该设备在运行过程中可承受哪些极端温度？

其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可用于工业和高温组件。

晶体管如何安装在电路板上？

它专为 IPak 封装中的通孔安装而设计，可实现牢固的机械固定。

在传导场景中，典型正向电压是多少？

该设备在主体-二极管传导的指定测试条件下具有 1.6V 的正向电压。

由于电荷原因，该栅极是否需要特殊的驱动考量？

由于典型栅极电荷为 14nC，应选择栅极驱动器，为预期开关速度提供足够的电流，而不会出现过多驱动损耗。