Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 69 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS 2系列
- RS 库存编号:
- 145-8707
- 制造商零件编号:
- IPP12CN10LGXKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥516.70
(不含税)
¥583.85
(含税)
有库存
- 1,750 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB10.334 | RMB516.70 |
| 250 + | RMB9.301 | RMB465.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-8707
- 制造商零件编号:
- IPP12CN10LGXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 69A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | OptiMOS 2 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.57 mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 15.95mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 69A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 OptiMOS 2 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 15.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.57 mm | ||
长度 10.36mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 15.95mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon OptiMOS™2 N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 OptiMOS 2 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。