Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 200 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 145-9602
制造商零件编号:: IRL1404ZPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 200 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

可享批量折扣

小计（1 管，共 50 件）*

¥600.00

(不含税)

¥678.00

最后的 RS 库存

最终 150 个，准备发货

单位	每单位	Per Tube*
50 - 200	RMB12.00	RMB600.00
250 +	RMB10.80	RMB540.00

* 参考价格

RS 库存编号:: 145-9602
制造商零件编号:: IRL1404ZPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	200A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	230W
	最大栅源电压 Vgs	16 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	75nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	长度	10.66mm
	标准/认证	No
	高度	8.77mm
	宽度	4.4 mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 200A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 230W
	最大栅源电压 Vgs 16 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 75nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	长度 10.66mm
	标准/认证 No
	高度 8.77mm
	宽度 4.4 mm
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，200A 最大连续漏极电流，230W 最大功率耗散 - IRL1404ZPBF

这款 MOSFET 专为各种应用，特别是自动化、电子和电气工程领域的应用而设计，具有高效性能。它能确保在极端条件下可靠运行，这对先进的电子系统至关重要。其坚固耐用的设计使其成为工程师优化电源管理解决方案的首选。

特点和优势

• 可处理高达 200A 的连续漏极电流

• 低漏极-源极导通电阻可提高效率

• 适用于高开关速度，以减少能量损耗

• 可在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内运行

• 最大栅极阈值电压为 2.7V，具有兼容性

• 采用通孔 TO-220 封装，安装简单

应用

• 用于功率放大器和转换器

• 用于直流-直流开关电源

• 集成在电机控制电路中

• 汽车和可再生能源的理想选择

该元件能承受的最大电压是多少？

它能承受 40V 的最大漏极-源极电压。

栅极阈值电压对运行有何影响？

2.7V 的栅极阈值电压可确保高效激活器件，实现精确控制。

该组件能否用于高温环境？

是的，它的额定工作温度高达 +175°C ，适合高强度应用。

低漏极-源极电阻有何意义？

低电阻可将功率损耗降至最低，从而提高整体系统效率，尤其是在大电流负载时。

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon

电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 200 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列